[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذا الرابط]
أعلنت شركة سامسونج، الشركة المتخصصة في تكنولوجيا بطاقات الذاكرة، عن تطويرها لبطاقة ذاكرة سعة 8 جيغابايت ثنائية صديقة للبيئة DDR3 DRAM، وتوفر هذه البطاقات والتي اجتازت اختبارات من قبل زبائن سامسونج أداء متفوق وذلك لكونها تستخدم رقائق تكنولوجيا ثلاثية الأبعاد والتي تعرف بـ "Through Silicon via".
وتمتاز هذه الرقائق ثلاثية الأبعاد بتكنولوجيا "Through silicon via" بأنها توفر ما نسبته 40% من الطاقة المستهلكة من خلال RDIMM. كذلك "Through silicon via" تسمح بالتحسين السريع في كثافة رقائق الذاكرة والتي من المتوقع أن تخفض مأخذ الذاكرة في الأجيال القادمة من انظمة السيرفير، وتزيد من كثافة DRAM بنسبة 50 بالمئة من يجعلها عملية أكثر بأداء مميز.
وتعتبر هذه التكنولوجيا الجديدة الحل لتخفيض استهلاك الطاقة في السيرفير وزيادة في الطاقة الاستيعابية وتحسين الأداء، حيث من المتوقع ان تتوفر هذه التكنولوجيا في بداية عام 2012، بالإضافة إلى ذلك، فإن سامسونج تخطط لإنتاج رقائق ذاكرة تعتمد على معالجة تكنولوجيا 30 نانوميتر ذات أداء أعلى و تتميز بالتوفير في استهلاك الطاقة.
أعلنت شركة سامسونج، الشركة المتخصصة في تكنولوجيا بطاقات الذاكرة، عن تطويرها لبطاقة ذاكرة سعة 8 جيغابايت ثنائية صديقة للبيئة DDR3 DRAM، وتوفر هذه البطاقات والتي اجتازت اختبارات من قبل زبائن سامسونج أداء متفوق وذلك لكونها تستخدم رقائق تكنولوجيا ثلاثية الأبعاد والتي تعرف بـ "Through Silicon via".
وتمتاز هذه الرقائق ثلاثية الأبعاد بتكنولوجيا "Through silicon via" بأنها توفر ما نسبته 40% من الطاقة المستهلكة من خلال RDIMM. كذلك "Through silicon via" تسمح بالتحسين السريع في كثافة رقائق الذاكرة والتي من المتوقع أن تخفض مأخذ الذاكرة في الأجيال القادمة من انظمة السيرفير، وتزيد من كثافة DRAM بنسبة 50 بالمئة من يجعلها عملية أكثر بأداء مميز.
وتعتبر هذه التكنولوجيا الجديدة الحل لتخفيض استهلاك الطاقة في السيرفير وزيادة في الطاقة الاستيعابية وتحسين الأداء، حيث من المتوقع ان تتوفر هذه التكنولوجيا في بداية عام 2012، بالإضافة إلى ذلك، فإن سامسونج تخطط لإنتاج رقائق ذاكرة تعتمد على معالجة تكنولوجيا 30 نانوميتر ذات أداء أعلى و تتميز بالتوفير في استهلاك الطاقة.
عدل سابقا من قبل RAYAN في الأحد يناير 23, 2011 9:08 pm عدل 1 مرات